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DIN 50451-4

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 4: Bestimmung von 34 Elementen in hochreinem Wasser durch Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 4: Determination of 34 elements in ultra pure water by mass spectrometry with inductively coupled plasma (ICP-MS)

DIN 50451-5

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 5: Leitlinie zur Auswahl von Werkstoffen und Prüfung ihrer Eignung für Geräte zur Probenahme und Probenvorbereitung für die Elementspuren-Bestimmung im Bereich von Mikrogramm je Kilogramm und Nanogramm je Kilogramm

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 5: Guideline for the selection of materials and testing of their suitability for apparatus for sampling and sample preparation for the determination of trace elements in the range of micrograms per kilogram and nanograms per kilogram

DIN 50451-6

Pr&uuml;fung von Materialien f&uuml;r die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Fl&uuml;ssigkeiten - Teil 6: Bestimmung von 36 Elementen in hochreiner Ammoniumfluorid-L&ouml;sung (NH<(Index)4>F) und &Auml;tzmischungen aus hochreiner Ammoniumfluorid-L&ouml;sung mit Flusss&auml;ure

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 6: Determination of 36 elements in a high-purity ammonium fluoride solution (NH<(Index)4>F) and in etching mixtures of high-purity ammonium fluoride solution containing hydrofluoric acid

DIN 50451-7

Pr&uuml;fung von Materialien f&uuml;r die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Fl&uuml;ssigkeiten - Teil 7: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salzs&auml;ure mittels ICP-MS

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 7: Determination of 31 elements in high-purity hydrochloric acid by ICP-MS

DIN 50451-8

Pr&uuml;fung von Materialien f&uuml;r die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Fl&uuml;ssigkeiten - Teil 8: Bestimmung von 33 Elementen in hochreiner Schwefels&auml;ure mittels ICP-MS

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 8: Determination of 33 elements in high-purity sulfuric acid by ICP-MS

DIN 50452-1

Pr&uuml;fung von Materialien f&uuml;r die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Fl&uuml;ssigkeiten - Teil 1: Mikroskopische Teilchenbestimmung

Testing of materials for semiconductor technology - Test method for particle analysis in liquids - Part 1: Microscopic determination of particles

DIN 50452-2

Pr&uuml;fung von Materialien f&uuml;r die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Fl&uuml;ssigkeiten - Teil 2: Teilchenbestimmung mit optischen Durchflusspartikelz&auml;hlern

Testing of materials for semiconductor technology - Test method for particle analysis in liquids - Part 2: Determination of particles by optical particle counters

DIN 50452-3

Pr&uuml;fung von Materialien f&uuml;r die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Fl&uuml;ssigkeiten - Teil 3: Kalibrierung von optischen Durchflu&szlig;partikelz&auml;hlern

Testing of materials for semiconductor technology - Test method for particle analysis in liquids - Part 3: Calibration of optical particle counters

DIN 50453-1

Pr&uuml;fung von Materialien f&uuml;r die Halbleitertechnologie - Bestimmung der &Auml;tzraten von &Auml;tzmischungen - Teil 1: Silicium-Einkristalle, Gravimetrisches Verfahren

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of etch rates of etching mixtures - Part 1: Silicium monocrystals, gravimetric method

DIN 50453-2

Pr&uuml;fung von Materialien f&uuml;r die Halbleitertechnologie - Bestimmung der &Auml;tzrate von &Auml;tzmischungen - Teil 2: Siliciumdioxid-Schichten, Optisches Verfahren

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of etch rates of etching mixtures - Part 2: Silicon-dioxide coating, optical method

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